PZT薄膜の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275956
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109562
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】高基板温度でPZT薄膜を堆積してから、その表面をエッチングしてPb過剰層を除去したり、高温状態に保持してPbを再蒸発させたりして、PZT薄膜の表面近傍からPb過剰領域をなくし、良好な電気特性を得る。【構成】 Pb過剰のPZT焼結体タ-ゲット26を用い、基板25を600〜650°Cに加熱して、アルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を0.5〜4Paとし、タ-ゲット26に150Wの高周波電力を投入して、基板25上にPZT薄膜を堆積した。その後、室温まで冷却して、基板25に高周波バイアスを印加して、PZT薄膜の表面をエッチングし、少なくとも約20nmの深さまで表面層を除去した。また、別の方法として、PZT薄膜堆積後、シャッタ-を閉めて放電を持続しながら、同じ基板温度、同じガス雰囲気中で基板を20分間保持した。これにより、膜表面からPbが再蒸発し、Pb過剰層ができなかった。

請求項（抜粋）：

最終的に必要とする膜厚よりも厚い膜厚となるようにスパッタリング法を用いて400°C以上の基板温度でPZT薄膜を堆積させる第1段階と、このPZT薄膜の表面をエッチングして所望の膜厚を得る第2段階とを有することを特徴とするPZT薄膜の作製方法。

IPC (5件)：

C23C 14/08 , C01G 25/00 , C04B 35/49 , H01B 3/12 301 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-371568
特開平2-249278
特開昭53-118799

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