特許
J-GLOBAL ID：200903015145047423
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007638
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198744
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 下部電極と容量絶縁膜と上部電極を有する半導体装置において、容量絶縁膜を密な膜にすることにより、リーク電流を増加させることなく薄膜化を行ない、従来のものに比し容量値の大きい容量部を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 下部電極(3)形成後にシリコン膜(4)を形成する工程と前記シリコン膜を熱窒化する工程を少なくとも2回以上繰り返すことにより容量絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
下部電極と容量絶縁膜と上部電極とを有する半導体装置において、前記下部電極形成後にシリコン膜を形成する工程と前記シリコン膜を熱窒化する工程を少なくとも2回以上繰り返すことにより前記容量絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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