特許

J-GLOBAL ID：200903015148157769

トンネル磁気抵抗素子の製造方法とトンネル磁気抵抗素子および磁気メモリ装置の製造方法と磁気メモリ装置

発明者： 白岩 利章 ,  山本 康隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332652
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 トンネル絶縁層を挟む強磁性体層間の不要な導通を回避して信頼性を高めるとともに、合わせ余裕を低減してセル面積の縮小化を図る。【解決手段】 第1強磁性体層を含む層311、トンネル絶縁層303、第2強磁性体層を含む層314を下層より順次積層して、この積層膜を加工してトンネル磁気抵抗素子13を形成する製造方法であって、第2強磁性体層を含む層314上にトンネル磁気抵抗素子形状よりも大きいマスク層51を形成した後、このマスク層51を加工マスクに用いて第2強磁性体層を含む層314から第1強磁性体層を含む層311までを加工し、次にマスク層51をトンネル磁気抵抗素子形状の大きさに縮小して、この縮小したマスク層52を加工マスクに用いて第2強磁性体層を含む層314をトンネル絶縁層303まで加工することによる。

請求項（抜粋）：

第1強磁性体層を含む層、トンネル絶縁層、第2強磁性体層を含む層を下層より順次積層して、この積層膜を加工してトンネル磁気抵抗素子を形成するトンネル磁気抵抗素子の製造方法であって、前記積層膜の第2強磁性体層を含む層上にトンネル磁気抵抗素子形状よりも大きいマスク層を形成する工程と、前記マスク層を加工マスクに用いて前記第2強磁性体層を含む層から前記第1強磁性体層を含む層までを加工する工程と、前記マスク層をトンネル磁気抵抗素子形状の大きさに縮小する工程と、前記縮小したマスク層を加工マスクに用いて前記第2強磁性体層を含む層をトンネル絶縁層まで加工する工程とを備えたことを特徴とするトンネル磁気抵抗素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083LA05 ,  5F083PR04 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07