特許
J-GLOBAL ID：200903015149525451
無電解パラジウムめっき方法及びそれに用いる無電解めっき浴
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093966
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280031
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 表面活性化やマスク作成を要することなく部分選択的なめっきが可能である無電解パラジウムめっき浴及びその無電解めっき方法を提供する。【構成】 この発明の無電解パラジウムめっき方法は、パラジウム化合物として、酢酸パラジウム又は塩化パラジウムを含有するとともに次亜リン酸ナトリウムとエチレンジアミンとを含有するめっき浴を用い、めっき浴中に浸漬しためっき対象物にレーザを照射することによって、パラジウムの高速部分めっきを直接的に行なうものである。なお、塩化パラジウムを用いた場合は、タリウム化合物を添加するようにしている。
請求項（抜粋）：
パラジウム化合物と次亜リン酸ナトリウムとエチレンジアミンとを含有するめっき浴を用いる無電解パラジウムめっき方法において、パラジウム化合物として酢酸パラジウムを用いるとともに、めっき浴に浸漬しためっき物にレーザを照射することを特徴とする無電解パラジウムめっき方法。
IPC (2件)：
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