多結晶シリコンデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050844
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263731
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多結晶シリコンの欠陥を抑えて光電変換効率等の特性を改善した、低コストの多結晶シリコンデバイスを提供する。【構成】結晶シリコンとは異なる材料の基板1上に多結晶シリコン4を堆積したデバイスにおいて、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ZnO層3が存在することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ZnO層が存在することを特徴とする多結晶シリコンデバイス。

FI (2件)：

H01L 31/04 A , H01L 31/04 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

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