特許

J-GLOBAL ID：200903015154335601

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 吉村 孝憲 ,  水野 茂 ,  長谷川 晋也 ,  沼沢 陽一郎 ,  高橋 信行
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283459
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 基板表面との接触部分をなくし、基板表面に堆積された薄膜を損うことなく、基板の裏面と側面に堆積した薄膜のみを除去し、汚染パーティクルの発生をできる限り抑制する。【解決手段】 CVD法によって基板18の表面に薄膜を成膜した後、ガス供給機構12,13 のガス供給面と基板の成膜面を非接触状態にて接近させ、基板の裏面側の空間にエッチングガスを供給してプラズマを発生させると共に、ガス供給面からパージガスをガス供給面と基板との間の空間に供給し、パージガスを基板の周囲縁部から基板の裏面側の空間に流出するようにし、パージガスによってプラズマ中のラジカルがガス供給面と基板の間の空間に拡散・侵入するのを阻止する。

請求項（抜粋）：

CVD法によって基板の表面に薄膜を成膜した後、ガス供給機構のガス供給面と前記基板の成膜面とを非接触状態にて接近させ、前記基板の裏面側の空間にエッチングガスを供給してプラズマを発生させると共に、前記ガス供給面からパージガスを前記ガス供給面と前記基板との間の空間に供給し、前記パージガスを前記基板の周囲縁部から前記基板の裏面側の空間に流出するようにし、前記パージガスによって前記プラズマ中のラジカルが前記ガス供給面と前記基板との間の前記空間に拡散するのを阻止することを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 N

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-097869