プラズマCVD成膜方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾関伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301310
公開番号（公開出願番号）：特開平11-131239
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：

【要約】【課題】成膜対象物を上部電極へ取り付けることなく、また長時間の成膜工程の中断をすることなく、薄膜へ取り込まれるパーティクルの量を低減できるプラズマCVD成膜装置の提供。【解決手段】上部電極には、原料ガス供給管から供給された原料ガスを通す多数の原料ガス噴出細孔が形成されている。上部電極の下面は厚さ1mmの薄い電極カバー1で覆ってある。この電極カバー1には原料ガス噴出細孔の位置に対応して、原料ガス噴出細孔と同じ1mmの径の細孔7が設けられ、原料ガス噴出細孔から噴出した原料ガスは細孔7を通過して反応室へ供給される。ネジ3〜6は上部電極に電極カバー1を固定している。電極カバー1で上部電極を覆っているので、電極カバー1に析出した反応生成物がパーティクルとなって成膜対象物の表面に成長中の薄膜上に落ち始める前に電極カバー1を交換するだけで、所定量以上のパーティクルが薄膜に取り込まれるのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

水平面に平行な平面をそれぞれ有し、該平面を互いに対面させている上部電極および下部電極を反応室内に設けてなり、該上部電極の上側面には原料ガス供給管の出口側開口が当接されており、前記平面に直交する方向に貫通しており前記原料ガス供給管から供給された前記原料ガスを通す多数の原料ガス噴出細孔が前記上部電極に形成され、前記反応室を真空に減圧した状態で、前記上部電極と下部電極の間に高周波電圧を加えることにより前記対面する平面の間にプラズマを発生し、前記原料ガス噴出細孔を通して前記上部電極と下部電極の間に供給された前記原料ガスを該プラズマで励起し、該原料ガスに化学反応を起こさせることにより、前記上部電極と下部電極の間に配置した基板等の成膜対象物の表面に固体を析出させ、該固体の薄膜を形成するプラズマCVD成膜装置において、前記上部電極の前記平面が薄いカバーで覆われ、該カバーには前記原料ガス噴出細孔の位置に該原料ガス噴出細孔とほぼ同じ径の細孔が設けられ、該上部電極に該カバーを取り付ける手段は、該カバーの着脱を容易に行えるネジやクリップ等の着脱手段でなることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。

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