特許
J-GLOBAL ID：200903015176314390
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025028
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226582
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】高耐圧・高出力で低雑音の化合物半導体装置の提供することを目的とする。【構成】電荷効果素子部と容量素子部分のうち容量素子部分をMIMIM(Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal)構造の積層構造とする。【効果】従来に比較し同条件で形成した場合容量素子面積が4分の1となる。また容量素子部が小さくなるので化合物半導体装置が安価に製造することができる。
請求項（抜粋）：
容量素子を有する化合物半導体装置において、前記容量素子は第1層金属と、前記第1層金属上に形成された絶縁膜を介して前記絶縁膜上に形成された第2層金属と、前記第2層金属上に形成された絶縁膜を介して形成された第3層の金属層とからなる積層構造によって形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
