特許
J-GLOBAL ID：200903015181314527
半導体装置用誘電体の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145992
出願日： 1992年11月04日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 100nm以下の薄い誘電体を用いるコンデンサにおいても高い誘電率と高い絶縁耐圧とを実現する。【構成】 原料供給量を0.5%以内の精度で導入し,薄膜特性の制御に必要な組成制御性を確保する。更に、高速原料ガス切り換え装置,急速加熱冷却炉,および排気速度調節機構を連動制御し,低温極薄膜堆積-高温短時間結晶化のステップを所望の膜厚まで繰り返すこともできる。【効果】 100nm以下と、薄い誘電体を用いるコンデンサの誘電特性が向上する。また、低温極薄膜堆積-高温短時間結晶化を用いれば、電極材料と誘電体材料との相互反応,相互拡散を防止しながら,高い結晶性を実現できる。
請求項（抜粋）：
2種以上の金属元素を含む化合物の誘電体薄膜を、2種以上の原料を個別に供給して作製する薄膜製造装置において、特に各原料の単位時間当たり供給量を、設定値に対して誤差0.5%以内で制御できることを特徴とする薄膜製造装置。
IPC (3件)：
C23C 16/52
, H01L 21/31
, H01L 27/04
