積層膜、積層膜の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281735
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092294
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 Siを含有し、かつO、C、N、Hの群から選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含有する基板との密着性が良好な膜を得る。【解決手段】 (A)トリアルコキシシランを必須成分とするシラン化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物もしくはいずれか一方を加熱してなる膜と(B)トリアルコキシシランを含まないオルガノアルコキシシランおよびテトラアルコキシシランから選ばれるシラン化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を加熱してなる膜が積層されてなることを特徴とした積層膜。

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物ならびに(A-2)下記一般式(1)と下記一般式(2)〜(4)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物とを加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物もしくはいずれか一方を加熱してなる膜と(B)下記一般式(2)〜(4)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を加熱してなる膜が積層されてなることを特徴とした積層膜。HSi(OR1 )3 ・・・・・(1)(式中、R1 は1価の有機基を示す。)Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(2)(式中、Rはフッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(3)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・・・(4)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (3件)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/312 C , H01L 21/312 M , H01L 21/316 G , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

Fターム (20件)：

5F033RR04 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX12 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

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