特許

J-GLOBAL ID：200903015194532507

改善された材料層および形成方法

発明者： スコット アール.サマーフェルト ,  ハワード アール.ベラタン ,  バーナード クルウィッキ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231605
公開番号（公開出願番号）：特開平7-215762
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【目的】 元の強誘電(もしくは焦電)臨界粒度を有する元のペロブスカイト層に鉛を加えて元の強誘電(焦電)臨界粒度よりも小さい平均粒度を有する鉛増強ペロブスカイト層を形成し層の平均粒度に似た平均粒度を有する元のペロブスカイト層の残留分極(もしくは焦電性能指数)よりも層の残留分極(焦電性能指数)を実質的に大きくして改善された強誘電(焦電)層を形成する。【構成】 臨界強誘電(焦電)粒度は粒度の低下と共に残留分極(焦電性能指数)が急速に低下し始める最大粒度を意味し、n-型もしくはp-型鉛増強ペロブスカイト層12に一つ以上のアクセプタもしくはドナードーパントをドープして抵抗率が実質的に高められる。元のペロブスカイト層はABO3 の組成を有し、ここにAは一つ以上の一価、二価もしくは三価元素であり、Bは一つ以上の五価、四価、三価、もしくは二価元素である。

請求項（抜粋）：

改善された材料層であって、該材料層は、平均粒度が1ミクロンよりも小さく(A<SB>1-x </SB>,Pb<SB>x </SB>)<SB>u </SB>B<SB>v </SB>O<SB>3 </SB>の組成を有する鉛含有率の低いペロブスカイト材料からなり、ここに、Aは一つ以上の一価、二価もしくは三価元素からなり、Bは一つ以上の五価、四価、三価、二価、もしくは一価元素からなり、かつ0.01<x<0.5,0.9<u<1.1,および0.9<v<1.1であり、それによって、x=0である同じ材料に較べて臨界粒度が低減され、かつ/もしくは誘電性が改善され、かつ/もしくは処理温度が低下された、改善された材料層。

IPC (8件)：

C04B 35/49 ,  C01G 25/02 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

C04B 35/49 D ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• セラミツクコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352892   出願人：株式会社東芝