特許

J-GLOBAL ID：200903015198537708

プラズマリアクタに特に有用な炭化珪素複合品

発明者： ハオ エー. ル ,  ニアンシ ハン ,  ジェラルド ズィー. イン ,  ロバート ダブリュー. ウ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139547
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 シリコンカーバイドの複合物及びその作製方法。【解決手段】 焼結や加熱プレス等のバルク法のシリコンカーバイドの基材部の表面に、CVD法等によりシリコンカーバイドの膜を積層・成膜する。この複合物はプラズマリアクタ、特に半導体製造に用いられる酸化物エッチング装置に用いるのに適しており、チャンバの壁面やチャンバの天井面,ウエハを取囲むカラー等の部品である。バルクのSiCによって安価で複雑な形状の強固な支持構造物を得ることができるとともに、CVDによるSiCの膜によってプラズマプロセスにおいて都合の良い特殊な用途に適合させることができる。SiCの複合構造は、バルクのSiCと膜のSiCの電気伝導率を別々に設定することができるため特に有用であり、接地面又はRF電磁放射の窓ないしその双方などの他、多くの利用可能性がある。

請求項（抜粋）：

第1の所定の抵抗率を有する焼結シリコンカーバイド部分と、第2の所定の抵抗率を有し、前記焼結部分上に堆積したシリコンカーバイドの膜とを備えるシリコンカーバイド複合体。

IPC (3件)：

C04B 35/565 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C04B 35/56 101 X ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B