特許

J-GLOBAL ID：200903015200810921

反応性イオン・エッチング方法

発明者： パトリシア・デラリオ・デイヴィス ,  ダナ・クリスティン・ノースカット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029257
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 金属シリサイドをエッチングするために、HBrと塩素の混合気体を用いて、反応性イオン・エッチング(RIE)を制御する。【構成】 HBrと塩素の混合気体は、反応性イオン・エッチング(RIE)によって、金属シリサイド(たとえばTiSi2 やWSiおよび他の耐熱性シリサイド)のエッチングを制御できるように使用される。磁界は、エッチング速度を高め、エッチング・プロファイルを制御するために使用される。低圧力は、絶縁マスク(たとえばSi3 N4 またはSiO2 )を使用し、金属シリサイド(たとえばTiSi2 )をエッチングするときに要求される。エッチング剤の組成は、DRAMのゲート構造をエッチングする場合に特に有用である。

請求項（抜粋）：

金属シリサイドを反応性イオン・エッチングする方法において、基板上に金属シリサイド層を形成する工程と、前記金属シリサイド層の上に、エッチングのために前記金属シリサイド層の部分を露出するようにパターン化された層を形成する工程と、エッチング室の内部に前記基板を配置する工程と、1:1〜1:9の範囲の比の、臭化水素と塩素ガスの混合気体から生成されたプラズマにより、前記金属シリサイド層をエッチングする工程と、前記エッチング工程の間、前記エッチング室内を30mトル以下の圧力に保持する工程と、を含むことを特徴とする反応性イオン・エッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/784 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-127826
  
• 特開平1-103836
  
• 特開平2-125425