特許
J-GLOBAL ID：200903015209486051
描画データの作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117741
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】半導体装置の製造工程において使用する露光マスクのパターンや半導体装置の製造工程における直接露光用のパターンなどとなる描画データを作成するときに、作成時間を短縮できる描画データの作成方法を提供する。【解決手段】設計データの一部となるパターンを作成して設計データのライブラリーを形成し、設計データのライブラリーのパターンを描画データに変換して描画データのライブラリーを作成する。次に、設計データのライブラリーのパターンを用いて設計データを作成し(F6)、設計データのうち設計データのライブラリーのパターンを除く部分を描画データに変換する(F11)。次に、設計データのライブラリーのパターンに対応する描画データのライブラリーのパターンと、設計データのライブラリーのパターンを除く設計データから変換された描画データのパターンとを重ね合わせる(F12)。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体装置を形成するためのパターンとなる描画データの作成方法であって、
設計データの一部となるパターンを作成して設計データのライブラリーを形成する工程と、
前記設計データのライブラリーのパターンを描画データに変換して描画データのライブラリーを作成する工程と、
前記設計データのライブラリーのパターンを用いて設計データを作成する工程と、
前記設計データのうち前記設計データのライブラリーのパターンを除く部分を描画データに変換する工程と、
前記設計データのライブラリーのパターンに対応する前記描画データのライブラリーのパターンと、前記設計データのライブラリーのパターンを除く設計データから変換された描画データのパターンとを重ね合わせる工程と
を有する描画データの作成方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 541J
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BB07
, 2H095BD28
, 5F056CA01
, 5F056CA21
, 5F056CA23
, 5F056CA25
