特許

J-GLOBAL ID：200903015210941242

III族窒化物発光素子の製造方法

発明者： 天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  田中 利之 ,  當摩 照夫 ,  真部 勝英
出願人/特許権者： パイオニア株式会社 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057545
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273366
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 アクセプタ不純物の成長層内部の相互拡散を抑制し、所望の発光中心以外の発光中心の活性化を抑えた高精度の青緑色・青色・紫外発光ダイオード及び半導体レーザダイオードの製造方法を提供する。【構成】 II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層からなる半導体発光素子の製造方法であって、II族元素が添加された少なくとも1つのIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を形成する工程と、結晶層の最表面上に低加速電子線を照射し、結晶層のみを改質する低加速電子線照射処理工程と、結晶層の最表面上に光エネルギーを吸収する薄膜を形成する工程と、光エネルギーを吸収する薄膜を加熱手段により、加熱し、結晶層のみを改質する表面パルス加熱処理工程とを含む。

請求項（抜粋）：

II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層からなる半導体発光素子の製造方法であって、II族元素が添加された少なくとも1つのIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を形成する工程と、前記結晶層の最表面上に低加速電子線を照射し、前記結晶層のみを改質する低加速電子線照射処理工程と、前記結晶層の最表面上に光エネルギーを吸収する薄膜を形成する工程と、前記光エネルギーを吸収する薄膜を加熱手段により、加熱し、前記結晶層のみを改質する表面パルス加熱処理工程とを含むことを特徴とする製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-242985
  
• 特開昭50-126169
  
• 特開昭63-278323
  
• 特開昭61-075517