特許
J-GLOBAL ID：200903015211404399
可視光半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349922
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202340
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 格子不整合による転位などの欠陥や残留応力の発生がなく、しかも再現性よく製造できる高出力、高寿命の半導体レーザを提供する【構成】 周期律表II-VI族半導体よりなる活性層3およびクラッド層2、4でダブルヘテロ構造部が構成され、活性層3直上のクラッド層4に形成されたリッジ部10がZnS<SB>x</SB>Te<SB>1-x</SB>(0<X≦0.7)で形成された電流ブロック層5で埋め込まれている。電流ブロック層5のエネルギーギャップは活性層3のエネルギーギャップに比して小さいので、活性層3直上のクラッド層4に滲み出した光を吸収するのに十分な低さである。また、クラッド層2、4および電流ブロック層5はGaAs基板1の格子定数と一致し、劣化しにくい高品質なものとなる。
請求項（抜粋）：
基板上に、活性層の両側をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部が設けられ、該クラッド層の一方がリッジ部を有すると共にそのリッジ部の両側を電流ブロック層にて挟まれている半導体レーザであって、該ダブルヘテロ構造部が周期律表II-VI族半導体材料からなり、該電流ブロック層がZnS<SB>x</SB>Te<SB>1-x</SB>(0<x≦0.7)からなる半導体レーザ。
IPC (2件)：
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