特許
J-GLOBAL ID：200903015213140372
リチウムイオン伝導体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347854
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151142
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 結晶性が良好な粒子からなり、リチウムイオン伝導性の高いリチウムイオン伝導体を提供する。また、そのリチウムイオン伝導体を簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 リチウムイオン伝導体を、組成式Li<SB>1+a</SB>X<SB>a</SB>Z<SB>2-a</SB>(PO<SB>4</SB>)<SB>3</SB>[XはAl、Sc、Y、La、In、Fe、Ga、Crから選ばれる少なくとも1種、ZはTi、Hf、Geから選ばれる少なくとも1種;0≦a<0.7]で表され、CuをターゲットとしたX線回折において(300)面の半値幅が0.5°以下であり、かつ(0012)面の半値幅が0.45°以下となるように構成する。またその製造方法は、いわゆる溶融塩法とし、リチウム源、リン酸源、元素Z源、必要に応じて元素X源となる各化合物を所定量混合して混合物を得る原料混合工程と、該混合物を所定の温度で焼成する焼成工程とを含んでなるよう構成する。
請求項（抜粋）：
組成式Li<SB>1+a</SB>X<SB>a</SB>Z<SB>2-a</SB>(PO<SB>4</SB>)<SB>3</SB>[XはAl、Sc、Y、La、In、Fe、Ga、Crから選ばれる少なくとも1種、ZはTi、Hf、Geから選ばれる少なくとも1種;0≦a<0.7]で表され、CuをターゲットとしたX線回折において(300)面の半値幅が0.5°以下であり、かつ(0012)面の半値幅が0.45°以下であるリチウムイオン伝導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 10/36 A
, H01B 13/00 Z
5H029AJ06
, 5H029AM12
, 5H029CJ02
, 5H029DJ09
, 5H029HJ02
, 5H029HJ13
, 5H029HJ14
