特許
J-GLOBAL ID：200903015217846075
UVフォトディテクタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005065
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216404
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、紫外線の照射が検出できるUVフォトディテクタを提供することを目的とする。【構成】 受光面である第2半導体層(16)のバンドギャップが、不純物領域(14)よりも広いので、第2半導体層(16)に入射した短波長光の吸収効率が向上する。また、第1半導体層(13)は薄く形成されているので、第2半導体層(16)に入射した長波長光のほとんどは、第2半導体層(16)、不純物領域(14)および第1半導体層(13)を通り抜けてしまい吸収されることはない。このように、本発明のUVフォトディテクタ(10)は、短波長光の入射に対して高い感度を持つと共に、長波長光に対して感度を持たない。
請求項（抜粋）：
膜厚の薄い第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の上層部に形成された第2導電型の不純物領域と、前記不純物領域の上に形成され、前記不純物領域よりもバンドギャップが広い前記第2導電型の第2半導体層とを備えることを特徴とするUVフォトディテクタ。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, G01J 1/02
, G01J 1/42
