特許

J-GLOBAL ID：200903015218470290

半導体材料、とくにシリコンの汚染の無い小片切断方法

発明者： アンドレアス・ヴォルフ ,  フランツ・ケーペル
出願人/特許権者： ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053317
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体、とくにシリコンが汚染なしにかつ高温および機械的な破砕工具の使用の断念にして、小片切断されることができかつまた破砕部片の任意の大きさおよび形状に簡単に利用し得る方法を提供することにある。【構成】 超純粋の半導体材料からなる本体が本発明により、それらが衝撃波にさらされることにより汚染なしに小片切断される。本方法は好ましくは室温で実施され、その結果半導体材料の内部への表面的に吸収された異金属の、高温により誘起されおよび/または加速された拡散が大幅に回避される。

請求項（抜粋）：

半導体材料、とくにシリコンを汚染無しに小片に切断する半導体材料、とくにシリコンの汚染の無い小片切断方法において、前記半導体材料が衝撃波にさらされることを特徴とする半導体材料、とくにシリコンの汚染の無い小片切断方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭53-014553