特許
J-GLOBAL ID:200903015219168783

半導体封止用エポキシ組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-180143
公開番号(公開出願番号):特開平6-025511
出願日: 1992年07月07日
公開日(公表日): 1994年02月01日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置の半田付け工程において樹脂とチップの界面剥離および樹脂パッケージのクラック発生を抑えて信頼性の向上を得、なおかつ成形性に優れた半導体封止用エポキシ組成物を提供することにある。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、溶融シリカおよび変性スチレン系ブロック共重合体を必須成分として含有してなる組成物であって、前記溶融シリカの平均粒子径が15μm以下の破砕溶融シリカ99〜50重量%と、平均粒子径が4μm以下の球状溶融シリカ1〜50重量%からなり、かつ溶融シリカの割合が全体の50〜95重量%であり、変性スチレン系ブロック共重合体がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。【効果】 成形性に優れ、半田耐熱性にも優れることから工業的に有用である。
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、溶融シリカ(C)および変性スチレン系ブロック共重合体(D)を必須成分として含有してなる組成物であって、前記溶融シリカ(C)の平均粒子径が15μm以下の破砕溶融シリカ99〜50重量%と、平均粒子径が4μm以下の球状溶融シリカ1〜50重量%からなり、かつ前記溶融シリカ(C)の割合が全体の50〜95重量%であり、前記変性スチレン系ブロック共重合体(D)がスチレン系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応させたものであることを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物。
IPC (5件):
C08L 63/00 NJN ,  C08L 63/00 NKX ,  C08G 59/18 NKK ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-050222
  • 特開平2-218734
  • 特開平2-099551
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