特許
J-GLOBAL ID：200903015236809660
磁性メモリの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136956
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331472
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。【解決手段】 ガラス基板上に、まず第一磁性層10としてFeを成膜する。次に、Fe10の中心に、絶縁層12としてAlを、4.5mmφの大きさで1.5nmの膜厚に成膜する。この絶縁層12の形成は、酸素が全ガス量に対する体積割合で2.00%含まれるAr混合ガスを使用し、スパッタ圧10mTorrで行う。酸素を含むガス雰囲気中で反応性スパッタを行うことで、Al酸化膜による絶縁層が形成される。次に、前記絶縁層12の中心上に、第二磁性層14としてCoを成膜する。
請求項（抜粋）：
第一の強磁性層を形成する第一の工程;前記第一の強磁性層上に、酸素と金属を反応させて絶縁層を積層形成する第二の工程;前記絶縁層上に、第二の強磁性層を積層形成する第三の工程;を含むことを特徴とする磁性メモリの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
