特許

J-GLOBAL ID：200903015248962952

後から設けるダイヤモンド蒸着層が付着するように炭素質材料の表面に施す処理、及び得られるダイヤモンド被覆製品

発明者： ピエール・ブー ,  ルネ・エルバン ,  ダビド・ラ ,  リオネル・バンダンビユルク
出願人/特許権者： ル・カルボンヌ・ロレーヌ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278169
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187863
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】 炭素質材料を、CVDによって後から設けるダイヤモンド蒸着層のための基板として機能し得る表面層で被覆すること。【構成】 炭素質材料(1)の表面に施す本発明による処理は、炭素質材料(1)をSi前駆物質(4)の存在下に、該前駆物質からガス状反応性中間体(通常SiO)が生じる温度より高い温度において熱化学的に変換することにより炭素質材料(1)上にSiC層(2)を形成し、それによってダイヤモンド蒸着層(3)の付着を可能にする表面層(2)を得ることを特徴とする。本発明は、“SiC/ダイヤモンド”で少なくとも局所的に被覆された製品も提供する。

請求項（抜粋）：

炭素質材料(1)を、CVDによって後から設けるダイヤモンド蒸着層(3)のための基体として機能し得る表面層で被覆するべく該材料の表面に施す処理であって、前記表面層に付着したダイヤモンド蒸着層(3)の生成を実現するべく、炭素質材料(1)を、Si自体かまたはSi前駆物質(4)の中から選択したSi含有反応物で、Siを用いる場合はSiの融点より高い温度、Si前駆物質(4)を用いる場合は当該前駆物質が炭素質材料(1)と反応する温度より高い温度において直接、またはSiを含有するガス状反応性中間体の生成によって熱化学的に変換することにより炭素質材料(1)上にSiC層(2)を形成することを特徴とする処理。

IPC (2件)：

C04B 41/87 ,  C04B 41/89