特許
J-GLOBAL ID：200903015252728662
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227634
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067738
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の高集積化を図る。【構成】 pチャネルMOSQp1とバイポーラトランジスタTrを有する半導体集積回路装置において、pチャネルMOSQp1のドレイン電極15Bとバイポーラトランジスタのベース電極15Bとを、同一層のゲート材15Bで一体に構成し、電気的に接続する。【効果】 前記pチャネルMOSQp1のドレイン領域10に接続される電極15とバイポーラトランジスタTrのベース引出し用電極15を接続するための配線(19)が不要になると共に、この配線を接続する際の接続孔が不要となる。また、この配線が配置されていた領域に他の配線を設けることができるので、この配線を他の領域に設ける必要な領域に相当する分、高集積化を図ることができる。また、基本ゲート回路の面積を縮小できる。
請求項（抜粋）：
同一基板に、MISFETとバイポーラトランジスタとを有する半導体集積回路装置において、前記MISFETのソース領域又はドレイン領域に自己整合で接続され、かつ、ゲート材で構成される電極、及び前記バイポーラトランジスタのベース領域に接続される電極の夫々を、同一層のゲート材で一体に構成し、かつ、電気的に接続することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/06 321 G
, H01L 21/82 M
