特許

J-GLOBAL ID：200903015253007365

半導体モジュール及びその製造方法

発明者： 谷江 尚史 ,  阪東 明 ,  丹波 昭浩 ,  川瀬 大助 ,  斉藤 直人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213005
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031740
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】低熱抵抗で高付加価値な半導体モジュールを、低コストかつ高信頼性で提供する。【解決手段】半導体モジュールの放熱フィンに導電層よりも線膨張係数の大きな材料を用い、フィンの縦弾性係数と板厚の積を導電層の縦弾性係数と板厚の積の3倍以下とする。マイクロコンピュータ搭載位置の回路基板と放熱フィンの間に空間を設ける。製造時において、放熱フィンと対になるプレス加工用の型を用いてプレス加工を行う。

請求項（抜粋）：

第1の熱伝導部材の表面に搭載された樹脂製絶縁材と、この樹脂製絶縁材の表面に搭載された第2の熱伝導部材と、この第2の熱伝導部材の表面に半田を介して搭載された半導体素子とを備えた半導体モジュールにおいて、前記第1の熱伝導部材にフィンを設けるとともに、前記第1の熱伝導部材は前記第2の熱伝導部材の材料よりも線膨張係数が大きいことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/36 ,  H05K 7/20

FI (2件)：

H05K 7/20 D ,  H01L 23/36 D

Fターム (7件)：

5E322AA01 ,  5E322AB01 ,  5E322AB07 ,  5E322FA04 ,  5F036AA01 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭56-122148