特許

J-GLOBAL ID：200903015255474394

半導体部品のボール形バンプ接触用の多点接続シートの製造法

発明者： 奥野 敏雄
出願人/特許権者： 株式会社双晶テック
代理人 (1件)： 中畑 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-074807
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】CSP等のボール形バンプの微小ピッチ化に有効に対応し、適切に接触することができる多点接続シートを提供する。【解決手段】絶縁シート2の肉厚内に保有するコンタクトプローブ1は、絶縁シート2の上面から露出して半導体部品のボール形バンプ6と接触する上端リング部3を有し、同シート2の下面から露出して他の電子部品と接触する下端リング部3 ́を有する多点接続用シートの製造法において、導電金属層21の一方の表面から上記上端リング部3をメッキ成長せしめる工程と、上記導電金属層21の他方の表面から導電金属から成る上記下端リング部3 ́をメッキ成長せしめる工程と、該下端リング部3 ́間の導電金属層21をエッチングにより除去して上記下端リング部3 ́と上端リング部3とが両者間に介在する導電金属層部を介して一体化された上記コンタクトプローブ1を形成する工程を含む多点接続シートの製造法。

請求項（抜粋）：

絶縁シート(2)の肉厚内に保有された多数のコンタクトプローブ(1)を有し、該コンタクトプローブ(1)は絶縁シート(2)の上面から露出して半導体部品のボール形バンプ(6)と接触するための上端リング部(3)を有し、同シート(2)の下面から露出して他の電子部品の電極パッド(18)と接触するための下端リング部(3 ́)を有する多点接続用シートの製造法において、導電金属層(21)の一方の表面から上記上端リング部(3)を一体にメッキ成長せしめる工程と、上記導電金属層(21)の他方の表面から導電金属から成る上記下端リング部(3 ́)を一体にメッキ成長せしめる工程と、該下端リング部(3 ́)間の導電金属層をエッチングにより除去して上記下端リング部(3 ́)と上端リング部(3)とが両者間に介在する導電金属層部を介して一体化された上記コンタクトプローブ(1)を形成する工程を含む半導体部品のボール形バンプ接触用の多点接続シートの製造法。

IPC (5件)：

G01R 31/26 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/34 512

FI (5件)：

G01R 31/26 J ,  G01R 1/073 B ,  H01L 21/66 D ,  H05K 3/00 T ,  H05K 3/34 512 A

Fターム (16件)：

2G003AA10 ,  2G003AG03 ,  2G003AG07 ,  2G003AG12 ,  2G011AA01 ,  2G011AB06 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  4M106AA02 ,  4M106AA04 ,  4M106AD26 ,  4M106DJ33 ,  4M106DJ34 ,  5E319AC11 ,  5E319CD51