特許

J-GLOBAL ID：200903015262385038

半田バンプ形成方法

発明者： 落合 良一 ,  杉野 成茂
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133901
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326524
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半田バンプ形成方法に関し、半田バンプの形成能率の向上を図ることを目的とする。【構成】 半田粒38を含有するパラフィン炭化水素37を使用する。これをマスク31上から塗布して、各バリア層4上に盛り部36を形成する。次いで、加熱して、パラフィン炭化水素を気化させて除去すると共に、半田粒を溶かして半田バンプ39とするよう構成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの電極上にバリア層を介して半田バンプを形成する半田バンプ形成方法において、半田粒を加熱によって除去しうるペーストに含有した半田粒含有ペースト(37)を、開口(32)を上記バリア層に一致させて配設したマスク(31)の上から印刷して、各バリア層上に半田粒含有ペースト盛り部を形成する印刷工程(21)と、上記半田粒含有ペースト盛り部内の半田粒を溶融すると共に上記ペーストを除去すべく加熱する加熱工程(22)とよりなる構成としたことを特徴とする半田バンプ形成方法。