特許
J-GLOBAL ID:200903015264318559

結晶性半導体膜の膜質管理方法、結晶性半導体膜の膜質管理用コンピュータソフト、結晶性ケイ素膜、半導体装置および薄膜トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-260044
公開番号(公開出願番号):特開平10-107106
出願日: 1996年09月30日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の製造プロセスを安定化するため、結晶性半導体膜の膜質管理をインラインプロセスにて素早く、正確に評価して管理する。【解決手段】 基板上に形成された結晶性半導体膜に対して、その半導体に固有のフォノンに対応するラマンバンドのピーク波形21をラマン分光法により測定し、その基準ピーク波数から高波数側の波形21Hと低波数側の波形21Lとを比較して非対称性の程度を判断することにより膜質を管理する。例えば、高波数側の波形と低波数側の波形とについて、ピーク面積25Hおよび25Lを比較してもよく、ピーク幅を比較してもよく、または、基準ピーク波数から一定波数の点での強度値を比較してもよい。
請求項(抜粋):
基板上に形成された結晶性を有する半導体膜の膜質を管理する方法であって、該半導体膜に固有のフォノンに対応するラマンバンドのピーク波形をラマン分光法により測定し、該ピーク波形のピークトップの波数値である基準ピーク波数より高波数側の波形と該基準ピーク波数より低波数側の波形とから非対称性の程度を判断することにより該半導体膜の膜質を管理する結晶性半導体膜の膜質管理方法。
IPC (6件):
H01L 21/66 ,  C23C 14/54 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件):
H01L 21/66 Q ,  C23C 14/54 E ,  C30B 29/06 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G

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