特許

J-GLOBAL ID：200903015264555950

結晶成長方法及びその装置

発明者： 和泉 茂一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102780
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294787
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【目的】 III /V族化合物半導体の分子線エピタキシャル(MBE)成長において、V族源分子線照射により生ずる結晶欠陥を低減し、結晶性を向上させる。【構成】 III /V族化合物半導体の分子線エピタキシャル(MBE)成長において、成長室1aに、ルツボ7a開口部の絞り込んだ指向性の強い直接照射V族用分子線源13と前記と異なるルツボ開口部前方に間隙を設けて配したシャッタ板を有するV族用分子線源14とを配置し、直接照射V族用分子線源13により成長用試料5aに対し直接分子線照射16を行い、同時に試料外周部照射V族用分子線源14により成長用試料5aに分子線を照射せず試料外周部V族蒸気圧を助長するように分子線照射15して、結晶成長させる結晶成長方法およびその装置。

請求項（抜粋）：

III /V族化合物半導体の分子線エピタキシャル(MBE)成長方法において、指向性の強いV族用分子線源によって成長用試料にV族分子線を直接照射し、同時に前記分子線源と異なるV族用分子線源によって該成長用試料を照射せずに該成長用試料近辺にある前記直接照射V族分子線の外周部を照射する事を特徴とする結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 23/08 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203