特許

J-GLOBAL ID：200903015265316568

配線基板の製造方法

発明者： 渡部 隆好 ,  井上 隆史 ,  松山 治彦 ,  遊喜 芳文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249556
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116159
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】一つのホトレジストマスクを用いてCr/Cu/Cr積層膜をエッチングによりパターン化して配線パターンを形成するに際し、Cr膜のエッチングに過マンガン酸カリウム系エッチング液を用いてもレジストマスクにダメージを与えることなく、安定で高精度に、しかも連続的に微細配線パターンを形成することのできる配線基板の製造方法を実現する。【構成】ホトレジスト20をマスクにして、Cr膜11、13を過マンガン酸カリウム系エッチング液でエッチングする際に、?@エッチング液を10°C以下の低温に保持して処理するか、?Aホトレジストを露光、現像にてパターン化した後、レジストパターンを疎水化処理するか、もしくは?BCr膜をエッチングした後、レジスト上に生成した二酸化マンガンを除去処理する。さらには、これら?@乃至?Bの二つもしくは三つの処理を組み合わせて処理する。

請求項（抜粋）：

基板上に、?@配線導体層としてCr/Cu/Cr積層膜を順次形成する工程と、?ACr/Cu/Cr積層膜の配線パターンとして残す部分を選択的にホトレジストで覆う工程と、?Bホトレジストで被われていない部分の上層Cr膜を過マンガン酸カリウム系エッチング液で除去する工程と、?CCr膜が除去され、それによって露出したCu膜を、Cuエッチング液で除去する工程と、?DCu膜が除去され、それによって露出した下層Cr膜を過マンガン酸カリウム系エッチング液で除去する工程と、?Eホトレジストを除去する工程とを含む配線パターン形成工程を有して成る配線基板の製造方法であって、少なくとも?Bおよび?Dの過マンガン酸カリウム系エッチング液でCr膜を除去する工程を、10°C以下の低温エッチング処理工程として成る配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/06 ,  C23F 1/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/28