特許

J-GLOBAL ID：200903015268331908

バッチ式縦型HSG-Si形成装置

発明者： 藤田 繁
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329784
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156350
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 反応管内でのSeeding の選択性が均一で、良好なHSG-Siを形成できるバッチ式縦型HSG-Si形成装置を提供する。【解決手段】 本装置50は、縦型の反応管22と、反応管の上下両端部の一方に接続され、反応管にプロセスガスを供給するプロセスガス供給系統52と、反応管の他方の端部に接続され、反応管を減圧する真空吸引系統30とを備え、シリコン膜にHSG化を施す。プロセス供給系統52は、反応管内の高さ方向に相互に異なる領域にそれぞれ開口端部58を有し、開口端部からプロセスガスを流出させる複数本のプロセスガス供給管56A〜Dを備えている。反応管内の高さ方向に相互に異なる領域にプロセスガスを流出させて、反応管のプロセスガスの分圧を一様に保持することにより、反応管内高さ方向のSeeding の選択性を均一に維持し、均一なHSG-Siを形成することができる。

請求項（抜粋）：

縦型の反応管と、反応管の上下両端部の一方に接続され、反応管にプロセスガスを供給するプロセスガス供給系統と、反応管の他方の端部に接続され、反応管を減圧する真空吸引系統とを備え、シリコン膜にHSG化を施すバッチ式縦型HSG-Si(Hemispherical Grained Si)形成装置において、プロセス供給系統は、反応管内の高さ方向に相互に異なる領域にそれぞれ開口端部を有し、開口端部からプロセスガスを流出させる複数本のプロセスガス供給管を備えていることを特徴とするバッチ式縦型HSG-Si形成装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 27/10 621 B

Fターム (19件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD47 ,  4M104GG16 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045DA61 ,  5F045DP19 ,  5F045EC07 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F083AD42 ,  5F083AD62 ,  5F083PR21