特許

J-GLOBAL ID：200903015271626412

スパッタリング用タングステンターゲットおよびその製造方法

発明者： 鈴木 了 ,  高村 博 ,  宮下 博仁
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056395
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256836
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】 従来の加圧焼結法よりも低温で緻密化する方法により、W粉末の焼結性を改善してより密度を向上させ、かつ酸素含有量と結晶粒を低く抑え、さらにパーティクルの発生を抑制することのできるスパッタリング用タングステンターゲット及び該ターゲットの製造コストを下げ、かつ安定して製造できる方法を提供する。【解決手段】 タングステン粉末をプラズマ処理した後に真空中で加圧焼結するかまたはタングステン粉末をプラズマ処理と同時に加圧焼結することにより、酸素含有量0.1〜10ppm、相対密度99%以上、且つ結晶粒が80μm以下であるスパッタリング用タングステンターゲットを得る。

請求項（抜粋）：

酸素含有量0.1〜10ppm、相対密度99%以上、且つ結晶粒径が80μm以下であることを特徴とするスパッタリング用タングステンターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S

Fターム (12件)：

4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09 ,  4M104BB18 ,  4M104DD40 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD28 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103RR04 ,  5F103RR10