露光方法および半導体の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065769
公開番号（公開出願番号）：特開平9-258450
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】EUVリソグラフィにおいて、下層レジスト膜や基板に対して高いドライエッチング耐性を有する半導体や金属を含んだレジスト膜を用いた場合に、高いスループットが得られる露光方法を提供する。【解決手段】レジスト膜に含まれる半導体や金属原子と、その周りに配位した他の原子や分子との結合を選択的に切断できる特定波長のEUVで露光を行うとともに、EUVリソグラフィの露光に用いる光学素子の表面にコーティングされた多層膜が、上記原子を構成原子として含まないか、もしくは含まれる上記原子を混合物ないし化合物としてその組成比を下げ、光学素子の上記特定波長での反射強度を増大させる。

請求項（抜粋）：

基板上に感光作用を有するレジスト膜を設ける工程と、レジスト膜にエネルギー線を露光して感光させる工程、該レジスト膜に所定のパターンに対応したエネルギー線で露工して感光させる工程と、レジスト膜を現像によって所望のレジストパターンを形成する工程からなる露光方法において、該レジスト膜が半導体の原子もしくは金属の原子を含む部材を用い露光されるエネルギー線によって上記レジスト材を構成している部材の結合を選択的に切断するエネルギーを有していることを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 517

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