固体レーザ素子とこれを用いた第二高調波レーザ発振装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松野英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169127
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザ励起による第二高調波発生装置において必要とされ、かつ、第二高調波に対して高反射能を有する誘電体光学薄膜の構成並びにその配置関係を開示する。【構成】 NdドープYVO4 結晶のレーザ透過の一端面には基本波に対して高反射率を有する誘電体光学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面には基本波に対しては高透過率を保持しながら、第二高調波に対しては高反射率を有する誘電体光学薄膜が配されている固体レーザ素子を製作し、この固体レーザ素子の集光レンズに対応する端面には合計15〜41層に亘ってSiO2 とTa2 O5 との積層誘電体光学薄膜を、夫々、基本波に対して高反射率を示す膜厚で配すると共に、前記固体レーザ素子の第二高調波発生素子と対応する端面には合計17〜51層に亘ってSiO2 とHfO2 との積層誘電体光学薄膜を、夫々、基本波に対しては高透過率を示しながら第二高調波に対しては高反射率を示す膜厚にて配し、第二高調波発生素子としてはKTiOPO4 を配した第二高調波発生装置を構成する。

請求項（抜粋）：

NdドープYVO4 結晶のレーザ透過の一端面には基本波に対して高反射率を有する誘電体光学薄膜が施され、これと相対するレーザ透過の他の端面には基本波に対しては高透過率を保持しながら、第二高調波に対しては高反射率を有する誘電体光学薄膜が配されている事を特徴とする固体レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 3/16 , G02F 1/37 , H01S 3/094 , H01S 3/109

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-115891
特開昭52-040150
特開平3-142984

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