特許
J-GLOBAL ID：200903015276533927

半導体装置、LEDプリントヘッド、画像形成装置、及び半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 貴人

鈴木 貴人 について

, 
藤原 博之

藤原 博之 について


出願人/特許権者：
株式会社沖データ

株式会社沖データ について

, 
株式会社沖デジタルイメージング

株式会社沖デジタルイメージング について


代理人 (2件)： 前田 実 ,  山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319423
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086134
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 材料コストの大幅な削減を図ることができる半導体装置、LEDプリントヘッド、画像形成装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、ドライバICチップ(Si基板)12と、この基板にボンディングされた半導体薄膜14とを有する。半導体薄膜14は、複数の個別動作領域14aと、これら複数の個別動作領域14aを互いに電気的に分離する素子分離領域14bとを有する。素子分離領域14bは、半導体薄膜14の厚さよりも浅い深さまで半導体薄膜14がエッチングされていて、複数の個別動作領域14aよりも薄い領域である。LEDプリントヘッドは、上記半導体装置を発光素子アレイとして備え、画像形成装置は、上記LEDプリントヘッドを露光装置として備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板にボンディングされた半導体薄膜とを有する半導体装置であって、 前記半導体薄膜が、複数の個別動作領域と、前記複数の個別動作領域を互いに分離する素子分離領域とを有し、 前記素子分離領域は、前記半導体薄膜の厚さよりも浅い深さまで前記半導体薄膜がエッチングされていて、前記複数の個別動作領域よりも薄い領域である ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L33/00 ,  B41J2/44 ,  B41J2/45 ,  B41J2/455
FI (3件)：
H01L33/00 A ,  H01L33/00 N ,  B41J3/21 L
Fターム (20件)：
2C162AE28 ,  2C162AE47 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA36 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA98 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB25 ,  5F041EE16 ,  5F041FF13
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-056597   出願人：株式会社三協精機製作所
審査官引用 (3件)

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