特許
J-GLOBAL ID：200903015277347434
リタイミング回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094540
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294806
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 100 GHz以上の高速で動作するリタイミング回路を提供する。【解決手段】 クロック光を光吸収層205に照射したとき電子・正孔対が発生し、この層でのキャリア密度の変化により電気信号伝送路102の特性インピーダンスが変化し電気信号伝送速度が変化して、データ信号がクロック光に同期する。光励起で発生した電子・正孔対のうちの電子は緩衝層204,電子走行層203,電子取出層202から取出電極105,106に取り出され、正孔は拡散緩衝層206から接地電極103,104に取り出され、それら電子、正孔の寿命は再結合寿命に依存せず短い。
請求項（抜粋）：
データ信号を伝播させる電気信号伝送線路と接地又は直流電源用電極の間の基板を半導体基板とし、該半導体基板に対してクロック光を照射して、前記電気信号伝送線路と前記接地又は直流電源用電極の間の容量を変調させ、データ信号をクロック光に同期させるリタイミング回路において、前記電気信号伝送線路直下の半導体基板の層構成が、バンドギャップエネルギーが前記クロック光のエネルギーより小さな第1の伝導型の第1の半導体層と、バンドギャップエネルギーが前記クロック光のエネルギーより大きく且つ前記第1の伝導型と反対の第2の伝導型の第2の半導体層と、前記第1および第2の半導体層に挟まれ前記第1および第2の半導体層より低い不純物ドーピング濃度を持ち又は不純物ドープ無しでバンドギャップエネルギーが前記クロック光のエネルギーより大きな第3の半導体層と、前記第1の半導体層に接して前記第3の半導体層の反対側に配置されたバンドギャップエネルギーが前記クロック光のエネルギーより大きな第1の伝導型の第4の半導体層とを備え、前記接地又は直流電源用電極が前記第4の半導体層とオーミック接続され、前記第2の半導体層がオーミック取出電極を有し、前記電気信号伝送線路と前記第1の半導体層の間に少なくとも絶縁層が存在し、前記入力クロック光が前記第1の半導体層で吸収される構造を有することを特徴するリタイミング回路。
IPC (3件)：
H01L 31/00
, H01L 27/14
, H03L 7/00
H01L 31/00 Z
, H03L 7/00 B
, H01L 27/14 Z
