特許

J-GLOBAL ID：200903015284368021

感光性ポリアミド

発明者： 佐々木 隆弘 ,  高橋 秀明
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164421
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351845
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 感度や解像度が良好で、優れた安定性を示し、さらに半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学性能をも高レベルで満足するアルカリ現像可能な耐熱性ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 ポリアミド酸にナフトキノンジアジドスルホン酸アミドを有するアルコールをエステル結合を介して導入することによって、ポリアミドを製造する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される構造単位を有するポリアミド。【化1】(但し、R1:四価の有機基、R2:二価の有機基、R3,R4:一方が下記一般式(2)で示される基であり、他方は、一価の有機基、水酸基、または下記一般式(2)で示される基である。また、R3とR4の両方が下記一般式(2)で示される基の場合、R3とR4は同じでも異なっていてもよい。)【化2】(但し、R5:炭素数2〜10の有機基、R6:炭素数1〜6の有機基、R5およびR6が連結されて環を形成する場合を含む。Q:式(3)または(4)で示されるナフトキノンジアジドを示す。)【化3】【化4】

IPC (2件)：

C08G 73/10 ,  C08L 79/08

FI (2件)：

C08G 73/10 ,  C08L 79/08 A

Fターム (59件)：

4J002CM041 ,  4J002ED026 ,  4J002EE056 ,  4J002EH036 ,  4J002EL066 ,  4J002EP016 ,  4J002EU026 ,  4J002EV206 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  4J043PA02 ,  4J043QB15 ,  4J043QB25 ,  4J043RA05 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043TA12 ,  4J043TA32 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA141 ,  4J043UA151 ,  4J043UA152 ,  4J043UA241 ,  4J043UA252 ,  4J043UA261 ,  4J043UA262 ,  4J043UA761 ,  4J043UB011 ,  4J043UB012 ,  4J043UB021 ,  4J043UB022 ,  4J043UB062 ,  4J043UB121 ,  4J043UB122 ,  4J043UB131 ,  4J043UB132 ,  4J043UB151 ,  4J043UB152 ,  4J043UB222 ,  4J043UB281 ,  4J043UB301 ,  4J043UB302 ,  4J043UB321 ,  4J043UB351 ,  4J043UB402 ,  4J043WA09 ,  4J043WA16 ,  4J043XA14 ,  4J043XA16 ,  4J043XA18 ,  4J043XA19 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZA60 ,  4J043ZB22