特許

J-GLOBAL ID：200903015287052700

インバータ装置

発明者： 山中 幸男 ,  岸本 直景
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-206139
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】MOSFETの駆動回路を構成するCMOSゲート回路内部に逆方向の電流が流れてラッチアップ、破壊等の問題が生じるのを無くしたインバータ装置を提供するにある。【解決手段】インバータ部1は各MOSFETQ1 ,Q2 のゲート・ソース間にダイオードD1 ,D2 を接続してある。このダイオードD1 ,D2 はMOSFETQ1 ,Q2 のドレイン・ゲート間の帰還容量Crss に蓄積された電荷を放出させるための放電経路を得るためのもので、帰還容量Crss に蓄積された電荷の放出による電流がCMOSゲート回路3a,3bを内蔵するIC3内の保護用ダイオードD10,D20に流れるのを抑制する。

請求項（抜粋）：

交流電源を直流変換して得られた直流電源と、該直流電源から供給される電力を高周波電力に変換して、負荷に電力を供給するインバータ部とを備え、インバータ部は、主スイッチング素子として互いに直列に接続された少なくとも1対のMOSFETを備え、両MOSFETのスイッチング動作で得られる高周波電力を両MOSFETの接続点に接続されたインダクタとコンデンサの直列回路を介して負荷へ供給するインバータ回路から構成され、各MOSFETの駆動回路としてはIC化されたCMOSゲート回路を用い、各MOSFETのゲートとCMOSゲート回路の出力端との間にインピーダンス要素を介在して成るインバータ装置において、各MOSFETのゲート・ソース間に各MOSFETの帰還容量の電荷の放電経路用のダイオードを接続したことを特徴とするインバータ装置。

IPC (6件)：

H02M 7/48 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H02M 7/537 ,  H02M 7/538 ,  H05B 41/24

FI (5件)：

H02M 7/48 M ,  H02M 7/537 E ,  H02M 7/538 A ,  H05B 41/24 Q ,  H01L 27/08 321 H