特許

J-GLOBAL ID：200903015296132074

プラズマ処理装置及び構造体の製造方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336572
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142471
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 放電初期においても、基板へのマイクロ波照射を低減し照射損傷を抑制できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 排気手段106により略円筒形状のプラズマ処理室101を排気し、マイクロ波導波管108を介してプラズマ処理室101内にマイクロ波を導入し、プラズマ処理室101内でプラズマを発生させプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、プラズマ処理される被処理体102の表面とマイクロ波導波管108とのマイクロ波換算距離が自然波長の略4分の奇数倍であることを特徴とする。プラズマ処理室101にはさらに誘電体窓107を介してマイクロ波が導入され、誘電体窓107のマイクロ波換算厚は、導入されるマイクロ波の周波数における誘電体窓107の比誘電率の平方根を誘電体窓107の実厚に乗じた値である。

請求項（抜粋）：

マイクロ波供給器を介してプラズマ処理室内にマイクロ波を導入し、前記プラズマ処理室内でプラズマを発生させプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、該プラズマ処理される被処理体の表面と前記マイクロ波供給器とのマイクロ波換算距離が自然波長の略4分の奇数倍であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (58件)：

4K030FA02 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB16 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EE20 ,  5F045EH03 ,  5F045EH19 ,  5F045GB08