特許
J-GLOBAL ID：200903015296715630
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000139
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195372
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 安定して歩留まりよく電子を放出することの可能な電子放出素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に第1の電極2を形成した後、第1の電極2上にダイヤモンド層3を形成し、ダイヤモンド層3表面に負の電気陰性度を持たせる。その後ダイヤモンド層3上に離間して第2の電極5を形成し、第2の電極5の側面に絶縁膜を形成する。そして、第2の電極5及び上記の絶縁膜をマスクとして複数の第2の電極5間に炭素を導入して第1の電極2からダイヤモンド層3の表面に達する電流経路領域7を形成し、最後に上記の絶縁膜を除去する。この構成によれば、電流経路領域7中を移動している電子が素子の外部に向かう運動ベクトルを有しているため、容易に効率よく電子を放出できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成されたダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層の一部に前記第1の電極から前記ダイヤモンド層の表面に達するように形成された電流経路領域と、前記ダイヤモンド層上に前記電流経路領域を挟んで前記電流経路領域と接しないように離間して形成された第2の電極と、前記ダイヤモンド層表面の前記電流経路領域と前記第2の電極との間に形成された表面が負の電気陰性度(NEA)を有する層とを有する電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
