埋め込み配線の形成方法およびCMP装置、並びに半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358105
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】配線幅・配線の密集度などといったレイアウトに関わり無く、化学機械研磨によるディッシングを防止し、平坦な表面の埋め込み配線の形成方法を得る。【解決手段】シリコン基板1上に形成された平坦な層間絶縁膜4に埋め込み配線用の溝を形成する第1の工程と、この溝にバリアメタル6と主配線となるCu膜7、7aを形成する第2の工程と、層間絶縁膜4上の不要なCu膜を薄皮残した状態まで、1回目の化学機械研磨により除去する第3の工程と、薄皮の状態のCu膜のみを、バリアメタル6が露出するまでエッチングにより除去する第4の工程と、不要なバリアメタルを2回目の化学機械研磨により除去する第5の工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された平坦な層間絶縁膜に埋め込み配線用の溝を形成する第1の工程と、上記溝にバリアメタルと主配線となるCu膜を形成する第2の工程と、上記層間絶縁膜上の不要なCu膜を薄皮残した状態まで、1回目の化学機械研磨により除去する第3の工程と、上記薄皮の状態のCu膜のみを、上記バリアメタルが露出するまでエッチングにより除去する第4の工程と、不要なバリアメタルを2回目の化学機械研磨により除去する第5の工程とを有することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 S , H01L 21/302 E , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

Fターム (31件)：

5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB08 , 5F004FA08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX01 , 5F043AA27 , 5F043BB18 , 5F043DD15 , 5F043DD16 , 5F043DD25 , 5F043FF07

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