特許

J-GLOBAL ID：200903015303452543

位相シフトマスク及びその製造方法

発明者： 柳 明 述
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-175168
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180479
出願日： 2006年06月26日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】EUV光を使用するリソグラフィにおいて、マスクによる反射光の位相を補正して分解能を向上させ、微細パターンを具現するのに適した半導体素子の位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子の位相シフトマスクは、基板と、該基板上に所定深さの溝を有して形成された多層薄膜と、前記溝を所定の深さに埋め込む吸収体とを備え、これにより、本発明は、従来の基板、多層薄膜及び吸収体をそのまま使用することができるので、高価なEUV露光装置を変更せず、マスク補正だけで分解能を向上させ、工程マージンを向上させて微細パターンを形成できるという効果がある。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 該基板上に所定深さの溝を有して形成された多層薄膜と、 前記溝を所定の深さまで埋め込む吸収体と を備えることを特徴とする半導体素子の位相シフトマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F7/20 521 ,  G03F1/16 A

Fターム (5件)：

2H095BA10 ,  2H095BB03 ,  2H095BC26 ,  5F046GA03 ,  5F046GD10