特許
J-GLOBAL ID：200903015306868597
半導体素子用リードフレームのメッキ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 茂夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304620
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150134
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 析出強化型銅合金によるリードフレームのインナーリード部、アウターリード部等に、Sn、Ag等の電気メッキを施す場合に発生し易いひげ状の析出物を防止するメッキ方法を見出すこと。【解決手段】 析出強化型銅合金による半導体素子用リードフレームに、酸洗後、電気メッキを施すメッキ方法であって、前記の酸洗工程と電気メッキ工程の間で、少なくとも1 回以上のアノード電解処理を行うことを特徴とする半導体素子用リードフレームのメッキ方法であり、前記析出強化型銅合金には、Cr、Zr、Ti、Si、Fe、Beの1種又は2種以上を含有する銅合金が含まれ、また前記電気メッキには、Sn、Ag、Ni、Pd 及びこれらの合金のいずれか1種の電気メッキが含まれる。
請求項（抜粋）：
析出強化型銅合金による半導体リードフレームに、酸洗後、電気メッキを施すメッキ方法であって、前記の酸洗工程と電気メッキ工程の間で、少なくとも1 回以上のアノード電解処理を行うことを特徴とする半導体素子用リードフレームのメッキ方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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