半導体リレー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安藤淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186917
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015796
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】本半導体リレー1個の使用で高周波信号の漏洩を防止する。【解決手段】入力信号に応じて発光する発光素子1 と、発光素子1 の光を受光して光起電力を発生する受光素子2 と、受光素子2 による光起電力によりゲートソース間に電荷が充電されてドレインソース間のインピーダンスが変化しソースが互いに接続された両出力用MOSFET3,3 と、両出力用MOSFET3,3 のゲートソース間に接続され両出力用MOSFET3,3 の電荷の充放電を制御する充放電制御用トランジスタ5 と、を備えた半導体リレーにおいて、一方端子が両出力用MOSFET3 のソースに接続され他方端子が接地端子となり受光素子2による光起電力により一方端子と制御端子との間電荷が充電されることにより一方端子と他方端子との間のインピーダンスが両出力用MOSFET3,3 とは逆に変化する接地制御用トランジスタ6 が設けられた構成にしてある。

請求項（抜粋）：

入力信号に応じて発光する発光素子と、発光素子の光を受光して光起電力を発生する受光素子と、受光素子により発生された光起電力がゲートソース間に印加して電荷が充電されることによりドレインソース間が高インピーダンス又は低インピーダンスに変化しソースが互いに接続された2個の出力用MOSFETと、受光素子に直列接続された充放電制御用インピーダンス要素と、両出力用MOSFETのゲートソース間にそれぞれ接続され充放電制御用インピーダンス要素の両端電圧に応じてインピーダンスが変化して両出力用MOSFETの電荷の充放電をそれぞれ制御する充放電制御用トランジスタと、を備えた半導体リレーにおいて、一方端子が両出力用MOSFETのソースにそれぞれ接続されるとともに他方端子が接地端子となり受光素子により発生された光起電力が一方端子と制御端子との間に印加して電荷が充電されることにより一方端子と他方端子との間のインピーダンスが両出力用MOSFETとは逆に変化する接地制御用トランジスタが設けられたことを特徴とする半導体リレー。

IPC (3件)：

H01L 31/12 , H01L 31/10 , H03K 17/78

FI (3件)：

H01L 31/12 F , H03K 17/78 G , H01L 31/10 G

Fターム (20件)：

5F049MA01 , 5F049NA20 , 5F049NB01 , 5F049RA02 , 5F049RA06 , 5F049UA20 , 5F089AA01 , 5F089AA10 , 5F089AB07 , 5F089AB20 , 5F089CA12 , 5F089CA21 , 5F089FA10 , 5J050AA49 , 5J050BB21 , 5J050DD03 , 5J050DD08 , 5J050EE17 , 5J050FF04 , 5J050FF10

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