特許

J-GLOBAL ID：200903015311390484

スパッタリング装置及び薄膜形成方法

発明者： 岡谷 健二 ,  山田 聡 ,  長谷川 善郎
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333411
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141719
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、清浄な界面を有する多層膜をぞれぞれの膜質に最適な基板温度で形成することができ、また、堆積した膜表面に所定の表面処理を連続的に施すことができるスパッタリング装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ターゲット及び基板の表面処理機構のそれぞれ少なくとも1つを中心軸の周りに取り付け、1又は複数の基板を保持する基板ホルダを前記ターゲット及び前記表面処理機構に対向して配置し、前記中心軸又は前記基板ホルダを回転する構成としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ターゲット及び基板の表面処理機構のそれぞれ少なくとも1つを中心軸の周りに取り付け、1又は複数の基板を保持する基板ホルダを前記ターゲット及び前記表面処理機構に対向して配置し、前記中心軸又は前記基板ホルダを回転する構成としたことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：

G11B 5/851 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

G11B 5/851 ,  C23C 14/34 J

Fターム (14件)：

4K029BA24 ,  4K029BA26 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029CA08 ,  4K029CA15 ,  4K029DA10 ,  4K029DC15 ,  4K029DC45 ,  4K029JA02 ,  5D112FA04 ,  5D112FB27 ,  5D112GA20 ,  5D112GB01