特許
J-GLOBAL ID：200903015312474312
波長可変型半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242788
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055702
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 波長可変型半導体レーザ装置において、より大きな波長可変量を得ることを目的とする。【構成】 活性層4とこの活性層よりもバンドギャップの広いキャリアトラップ層9との両者の間に、この両者のいずれよりもバンドギャップの広いバリア層10を設けるとともに、このバリア層10の厚さは、上記活性層4とキャリアトラップ層9との間を容易にキャリア11がトンネルできる薄さに形成する。
請求項（抜粋）：
活性層と、その活性層を挟む第1導電型クラッド層および第2導電型クラッド層と、第1導電側電極および第2導電側電極とを備えた半導体レーザ装置において、上記第1導電型側電極は、共振器方向に対して前後に電極が分割して形成されてなり、上記活性層とこの活性層よりもバンドギャップの広いキャリアトラップ層との間に、この両者のいずれよりもバンドギャップの広いバリア層を備え、このバリア層の厚さは、上記活性層とキャリアトラップ層との間を容易にキャリアがトンネルできる薄さに形成されていることを特徴とする波長可変型半導体レーザ装置。
引用特許：
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