特許
J-GLOBAL ID：200903015313013270
高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029321
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324748
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。(Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R<SP>1</SP>は炭素数1〜8の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基、R<SP>2</SP>は酸不安定基を示し、mは0又は整数、nは整数であり、m+n≦5を満足する数である。xは整数である。p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.7、p1+p2+q=1を満足する数である。)【効果】 本ポジ型レジスト材料は、特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。【化1】[式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R<SP>1</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示す。R<SP>2</SP>は酸不安定基を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数であり、m+n≦5を満足する数である。xは正の整数である。p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.7、p1+p2+q=1を満足する数である。また、カルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル%以下が、下記一般式(2a)又は(2b)で示されるC-O-C基を有する架橋基によって分子内及び/又は分子間で架橋されていてもよい。【化2】(式中、R<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R<SP>3</SP>とR<SP>4</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>5</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。)]
IPC (4件)：
C08G 77/04
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
C08G 77/04
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
