特許
J-GLOBAL ID:200903015314810441

巻き線型磁性薄膜インダクタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-049034
公開番号(公開出願番号):特開2000-252127
出願日: 1999年02月25日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 サイズが小さく、Q値が高く(50以上)、かつ温度特性が安定である薄膜巻き線インダクタトその製造方法とを提供すること。【解決手段】 巻き線型磁性薄膜インダクタ21,23は、基板2の少なくとも一面にQが上がる磁芯薄膜3,5を形成し、それを細かく切り離し、巻線を施して巻き線インダクタを構成する。
請求項(抜粋):
基板の少なくとも一面にQの大きな磁芯薄膜を形成し、巻線を施して巻き線インダクタを構成することを特徴とする巻き線型磁性薄膜インダクタ。
Fターム (9件):
5E070AA01 ,  5E070AA19 ,  5E070AB01 ,  5E070AB06 ,  5E070AB09 ,  5E070BA20 ,  5E070EA01 ,  5E070EA06 ,  5E070EB02

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