特許
J-GLOBAL ID:200903015317114020
バンプを備えた半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-350762
公開番号(公開出願番号):特開平7-201865
出願日: 1993年12月31日
公開日(公表日): 1995年08月04日
要約:
【要約】【目的】 半導体装置(ICチップ)のパッドの表面にプローブを圧接させてテストを行った際に、パッドの表面にプローブ跡が残ったとしても、このプローブ跡に起因する不都合を完全に解決する。【構成】 パッド12に接続されてその近傍に形成されたテスト用パッド17aの所定の表面にプローブ19を圧接させる。この結果、テスト用パッド17aの所定の表面にプローブ跡が生じたとしても、バンプ形成領域の本来のパッド12上に形成されたテスト用パッド17aの表面に下地金属層20aを均一な厚さで形成することができ、したがってプローブ跡に起因する不都合を完全に解決することができる。
請求項(抜粋):
パッド上に下地金属層を介してバンプが形成された半導体装置において、前記バンプの形成領域以外の領域に前記パッドに接続されたテスト用パッドを備えていることを特徴とするバンプを備えた半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/321
, H01L 21/66
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (2件):
H01L 21/92 C
, H01L 27/04 E
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開昭59-127852
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特開昭63-272055
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特開昭63-062341
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