特許
J-GLOBAL ID：200903015318924700
半導体パッケージ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123156
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308220
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】工程数、工程所要時間を大幅に低減することができ、製造歩留まりを向上することができる構造で、かつ、信頼性の高い半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ11のチップ電極12に対応する範囲で配線層14が、絶縁フィルム13に支持された構造とする。製造にあたっては、バンプ17を孔部16に挿入して前記半導体チップを前記配線基材に搭載し、ヒータプレート等によって配線テープ4をチップ電極形成面のほぼ全範囲に押圧しつつ、接着剤層16及びインナーリード接続部に熱を加えることにより、配線層14とすべてのバンプ17との金属接合と、接着剤層16による半導体チップ11と配線テープ4との接着とを一度に行う。
請求項（抜粋）：
絶縁基材上に所定の配線パターンを有する配線層が敷設され、前記配線層上に孔部を有する接着剤層が敷設されてなる配線基材と、電極上にバンプが付設された半導体チップとが、前記接着剤層と前記半導体チップの電極形成面とを向かい合わせに接着されるとともに、前記バンプが前記孔部に挿入されて前記半導体チップの電極と前記配線層とが前記バンプを介してフリップチップ方式で電気的に接続され、前記配線層の前記半導体チップと反対側の面に外部接続部が設けられた半導体パッケージにおいて、前記半導体チップの電極に対応する範囲で前記配線層が、前記絶縁基板に支持されてなることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/12 L
