特許
J-GLOBAL ID：200903015319313241
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069355
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールの形状を改良した多層配線層を具備する半導体装置に関し、簡単且つ容易に導電層のコンタクトホール内への埋め込みを確実にすることが可能となる半導体装置の提供を目的とする。【構成】 第1導電層2と第2導電層4とを接続する、これらの導電層の間の第1絶縁膜3に設けた長円形の第1のコンタクトホール3aと、この第2導電層4と第3導電層6とを接続する、これらの導電層の間の第2絶縁膜5に設けた長円形の第2のコンタクトホール5aとを有し、この第1と第2のコンタクトホールをそれぞれ異なる領域に配設するように構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電層(2) と第2導電層(4) とを接続する、該導電層の間の第1絶縁膜(3) に設けた長円形の第1のコンタクトホール(3a)と、前記第2導電層(4) と第3導電層(6) とを接続する、該導電層の間の第2絶縁膜(5) に設けた長円形の第2のコンタクトホール(5a)とを有し、前記第1と第2のコンタクトホールをそれぞれ異なる領域に配設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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